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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7421D1PBF
IRF7421D1PBF PDF预览

IRF7421D1PBF

更新时间： 2024-01-28 23:09:10
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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8页 226K
描述
FETKY MOSFET / Schottky Diode

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IRF7421D1PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.8
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A最大漏极电流 (ID)：5.8 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：46 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7421D1PBF 数据手册

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PD- 95304  
IRF7421D1PbF  
FETKYäMOSFET / Schottky Diode  
l Co-packaged HEXFET® Power  
MOSFET and Schottky Diode  
l Ideal For Synchronous Regulator  
Applications  
l Generation V Technology  
l SO-8 Footprint  
A
A
D
1
8
7
A
S
S
G
VDSS = 30V  
2
3
4
D
6
5
D
D
R
DS(on) = 0.035Ω  
Schottky Vf = 0.39V  
l Lead-Free  
Top View  
Description  
The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer  
the designer an innovative board space saving solution for switching  
regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing  
techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea. Combining  
this technology with International Rectifier's low forward drop Schottky  
rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide  
variety of portable electronics applications.  
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced  
thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor phase,  
infrared or wave soldering techniques.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Maximum  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS@10VÃ  
5.8  
A
4.6  
Pulsed Drain Current À  
Power Dissipation à  
46  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
2.0  
W
1.3  
Linear Derating Factor  
16  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
-5.0  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt Á  
Junction and Storage Temperature Range  
V/ns  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Maximum  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient à  
62.5  
°C/W  
Notes:  
À Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see figure 11)  
Á ISD ≤ 4.1A, di/dt ≤ 110A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 150°C  
 Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%  
à Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec.  
www.irf.com  
1
10/13/04  
12345678

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IRF7421D1PBF 替代型号

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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