是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.67 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0082 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MS-012AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRF742FI | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB |
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IRF742R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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IRF743 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V |
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IRF743 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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IRF743-001 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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IRF743-002 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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