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IRF7425TRPBF-1

更新时间： 2024-01-31 17:00:37

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英飞凌 - INFINEON		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	182K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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IRF7425TRPBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.0082 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7425TRPBF-1 数据手册

IRF7425PbF-1

1000

100

1000

100

VGS

TOP

-7.0V

-5.0V

-4.5V

-2.5V

-1.8V

-1.5V

-1.2V

TOP

-7.0V

-5.0V

-4.5V

-2.5V

-1.8V

-1.5V

-1.2V

BOTTOM -1.0V

-1.0V

0.1

0.01

-1.0V

20μs PULSE WIDTH

T = 150 C

T = 25 C

0.1

100

0.1

100

-V , Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

2.0

100

-15A

T = 150 C

1.5

1.0

0.5

0.0

T = 25 C

= -15V

20μs PULSE WIDTH

=-4.5V

0.1

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8 2.0

2.2

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

-V , Gate-to-Source Voltage (V)

T , Junction Temperature ( C)

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

Fig 4. Normalized On-Resistance

Vs. Temperature

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November 20, 2013

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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