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IRF7433TR

更新时间： 2024-01-15 05:55:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	112K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 12V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7433TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.89	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	8.9 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7433TR 数据手册

PD -94056

IRF7433

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel MOSFET

l Surface Mount

V_DSS

-12V

R_DS(on)max

I_D

24mΩ@V_GS= -4.5V

30mΩ@V_GS= -2.5V

46mΩ@V_GS= -1.8V

-8.7A

-7.4A

-6.3A

l Available in Tape & Reel

Description

These P-Channel MOSFETs from International

Rectifier utilize advanced processing techniques to

achieve the extremely low on-resistance per silicon

area. This benefit provides the designer with an

extremely efficient device for use in battery and load

management applications..

SO-8

The SO-8 has been modified through a customized

leadframe for enhanced thermal characteristics and

multiple-die capability making it ideal in a variety of

powerapplications. Withtheseimprovements,multiple

devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically

reduced board space. The package is designed for

vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Top View

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

-12

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current

-8.9

-7.1

-36

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

2.5

1.6

0.02

±8

W/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

www.irf.com

12/15/00

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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