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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF744 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRF744 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF744-024PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF744PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF744PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7450 | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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| IRF7450_04 | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7450PBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7450TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7450TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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