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IRF7455 PDF预览

IRF7455

更新时间： 2024-11-13 22:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 170K
描述
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0071ohm,Id=15A)

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IRF7455 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7455 数据手册

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PD- 93842B  
IRF7455  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency DC-DC Converters  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
ID  
15A  
0.0075Ω  
with Synchronous Rectification  
Benefits  
l Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Low Charge and Low Gate Impedance to  
Reduce Switching Losses  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
A
A
D
1
2
3
4
8
7
S
S
D
6
5
S
D
D
G
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
30  
± 12  
V
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
15  
12  
A
120  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
2.5  
W
W
1.6  
0.02  
W/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient„  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
Typical SMPS Topologies  
l Telecom 48V Input Converters with Logic-Level Driven Synchronous Rectifiers  
Notes  through „are on page 8  
www.irf.com  
1
4/20/00  
12345678

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IRF7455 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7455TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7455PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRF7455TR INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7455PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7455PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7455TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7455TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF7455TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7455TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7456 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)
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 		SMPS MOSFET
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 		Industry-standard pinout SO-8 Package
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