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IRF7457PBF

更新时间： 2024-10-30 04:44:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 177K
描述
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max = 7.0mヘ , ID = 15A )

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IRF7457PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：265 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7457PBF 数据手册

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PD- 95032  
IRF7457PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
RDS(on) max ID  
SMPS MOSFET  
Applications  
l High Frequency DC-DC Isolated  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial use  
VDSS  
20V  
7.0mΩ  
15A  
l High Frequency Buck Converters for  
Computer Processor Power  
l Lead-Free  
Benefits  
A
A
1
2
3
4
8
7
D
S
S
S
G
l Ultra-Low RDS(on)  
l Very Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D
6
5
D
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
20  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
15  
12  
A
120  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
2.5  
W
W
1.6  
0.02  
W/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient „  
–––  
50  
°C/W  
Notes  through „are on page 8  
www.irf.com  
1
10/12/04  
12345678

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IRF7457PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7457TR INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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