5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRF7465TRPBF
IRF7465TRPBF PDF预览

IRF7465TRPBF

更新时间： 2024-09-15 12:02:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体转换器晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
high frequency DC-DC converters

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF7465TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.69Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：821735
Samacsys Pin Count：8Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：Small Outline PackagesSamacsys Footprint Name：SO8PBF
Samacsys Released Date：2018-07-31 17:55:37Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：1.9 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7465TRPBF 数据手册

 浏览型号IRF7465TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7465TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7465TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7465TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7465TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7465TRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD-95274  
IRF7465PbF  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
l Lead-Free  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
150V  
0.28W@VGS = 10V  
1.9A  
Benefits  
A
l Low Gate to Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design (See  
App. Note AN1001)  
A
1
2
3
4
8
S
S
S
G
D
7
D
6
D
5
D
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1.9  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
1.5  
A
15  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation„  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt †  
Operating Junction and  
7.8  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient „  
–––  
50  
°C/W  
Notes  through †are on page 8  
www.irf.com  
1
09/21/04  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRF7465TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7465PBF INFINEON

类似代替

 High frequency DC-DC converters, Lead-Free
IRF7465 INFINEON

功能相似

 Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A)

与IRF7465TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7466 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A)
IRF7466PBF INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRF7466TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7467 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A)
IRF7467PBF INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRF7468 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.4A)
IRF7468PBF INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRF7468TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 40V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRF7469 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A)
IRF7469PBF INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET

与IRF7465TRPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证