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IRF7468

更新时间： 2024-11-19 22:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 233K
描述
Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.4A)

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IRF7468 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：160 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：9.4 A
最大漏源导通电阻：0.0155 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：75 A
表面贴装：YES端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7468 数据手册

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PD - 93914D  
IRF7468  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency Isolated DC-DC  
VDSS  
40V  
RDS(on) max(mΩ)  
ID  
15.5@VGS = 10V  
9.4A  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
l High Frequency Buck Converters for  
Computer Processor Power  
A
A
D
1
2
3
4
8
S
S
Benefits  
7
D
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
6
S
D
5
G
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
40  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
9.4  
7.5  
A
75  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.5  
W
W
1.6  
0.02  
mW/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient „  
–––  
50  
°C/W  
Notes  through ꢀare on page 8  
www.irf.com  
1
3/25/01  
12345678

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IRF7468 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7468TRPBF INFINEON

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