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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7468PBF
IRF7468PBF PDF预览

IRF7468PBF

更新时间： 2024-11-20 04:44:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管功率场效应晶体管PC
页数 文件大小 规格书
8页 127K
描述
SMPS MOSFET

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IRF7468PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.6
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：683766Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SO-8 Package OutlineSamacsys Released Date：2020-02-19 06:03:57
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IRF7468PBF 数据手册

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PD - 95344  
IRF7468PbF  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency Isolated DC-DC  
VDSS  
RDS(on) max(mW)  
ID  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
l High Frequency Buck Converters for  
Computer Processor Power  
40V  
15.5@VGS = 10V  
9.4A  
l Lead-Free  
A
A
D
1
2
3
4
8
S
S
S
G
7
Benefits  
D
6
D
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
5
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
40  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
9.4  
7.5  
A
75  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.5  
W
W
1.6  
0.02  
mW/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient „  
–––  
50  
°C/W  
Notes  through ꢀ are on page 8  
www.irf.com  
1
8/17/04  
12345678

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IRF7468PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7468TRPBF INFINEON

类似代替

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功能相似

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IRF7469TR INFINEON

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IRF7469TR UMW

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