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IRF7468TRPBF

更新时间： 2024-11-20 21:14:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 40V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7468TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：12 weeks 1 day风险等级：5.45
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：160 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：9.4 A最大漏源导通电阻：0.0155 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：75 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7468TRPBF 数据手册

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PD - 95344  
IRF7468PbF  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency Isolated DC-DC  
VDSS  
RDS(on) max(mW)  
ID  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
l High Frequency Buck Converters for  
Computer Processor Power  
40V  
15.5@VGS = 10V  
9.4A  
l Lead-Free  
A
A
D
1
2
3
4
8
S
S
S
G
7
Benefits  
D
6
D
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
5
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
40  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
9.4  
7.5  
A
75  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.5  
W
W
1.6  
0.02  
mW/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient „  
–––  
50  
°C/W  
Notes  through ꢀ are on page 8  
www.irf.com  
1
8/17/04  
12345678

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IRF7468TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7842PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRF7468PBF INFINEON

类似代替

 SMPS MOSFET

与IRF7468TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7469 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A)
IRF7469PBF INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRF7469PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRF7469TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF7469TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF7469TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF7470 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
IRF7470PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7470TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7470TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时

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