Datasheet > IRF7469PBF-1

IRF7469PBF-1

更新时间： 2024-11-24 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
8页	193K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF7469PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRF7469PBF-1 数据手册

IRF7469PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 4.5V)

Q_{g (typical)}

I_D

9.0

SO-8

(@T_A= 25°C)

Top View

Features

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Benefits

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Form

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

Tube/Bulk

Tape and Reel

4000

IRF7469PbF-1

IRF7469TRPbF-1

IRF7469PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DS

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

9.0

I_D@ T_A= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

_D@ T_A= 70°C

7.3

I_DM

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

2.5

1.6

0.02

mW/°C

°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

Thermal Resistance

Symbol

R_θJL

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJA

Junction-to-Ambient

–––

°C/W

Notes through are on page 8

Submit Datasheet Feedback

June 23, 2014

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRF7469PBF-1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7469TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF7469TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF7469TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF7470	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
IRF7470PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7470TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7470TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF7470TRPBF	INFINEON	获取价格	High Frequency DC-DC Converters with Synchronous Rectification
IRF7471	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
IRF7471PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET