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IRF7473TR PDF预览

IRF7473TR

更新时间： 2024-11-06 20:59:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 198K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7473TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：6.9 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：55 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRF7473TR 数据手册

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PD- 94037A  
IRF7473  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
VDSS  
100V  
RDS(on) max  
ID  
l Telecom and Data-Com 24 and 48V  
input DC-DC converters  
l Motor Control  
26mΩ@VGS = 10V 6.9A  
l Uninterrutible Power Supply  
Benefits  
l Ultra Low On-Resistance  
l High Speed Switching  
l Low Gate Drive Current Due to Improved  
Gate Charge Characteristic  
l Improved Avalanche Ruggedness and  
Dynamic dv/dt  
A
A
1
2
8
S
S
D
7
D
3
4
6
S
D
5
G
D
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
SO-8  
Top V iew  
Typical SMPS Topologies  
l Full and Half Bridge 48V input Circuit  
l Forward 24V input Circuit  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
6.9  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
5.5  
A
55  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Peak Diode Recovery dv/dt †  
Operating Junction and  
5.8  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
RθJA  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient „  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
50  
Units  
–––  
°C/W  
Notes  through †are on page 8  
www.irf.com  
1
4/27/01  
12345678

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IRF7473TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7473TRPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRF7473PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET
IRF7473 INFINEON

功能相似

 Power MOSFET(Vdss=100V, iD=6.9A)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7473TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRF7473TRPBF-1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor
IRF7474 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7474PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7474TR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF7474TRPBF INFINEON

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 		N-Channel MOSFET

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