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IRF7483MTRPBF

更新时间： 2024-11-20 21:00:23

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	500K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRF7483MTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.72
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRF7483MTRPBF 数据手册

StrongIRFET™

IRF7483MTRPbF

DirectFET^®N-Channel Power MOSFET 

Application

 Brushed Motor drive applications

 BLDC Motor drive applications

Battery powered circuits

 Half-bridge and full-bridge topologies

 Synchronous rectifier applications

 Resonant mode power supplies

 OR-ing and redundant power switches

 DC/DC and AC/DC converters

 DC/AC Inverters

V_DSS

R_DS(on)typ.

max

40V

1.7m

2.3m

135A

I_{D (Silicon Limited)}

Benefits

 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

 Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability

 Lead-Free, RoHS Compliant

DirectFET^®ISOMETRIC

Standard Pack

Orderable Part Number

Base part number Package Type

Form

Quantity

IRF7483MPbF

DirectFET^®MF

Tape and Reel

4800

IRF7483MTRPbF

6.5

5.0

3.5

2.0

0.5

150

125

100

= 81A

= 125°C

= 25°C

10 12 14 16 18 20

100

125

150

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

www.irf.com

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May 14, 2015

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