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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7470TR
IRF7470TR PDF预览

IRF7470TR

更新时间： 2024-11-20 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 119K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7470TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：85 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7470TR 数据手册

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PD- 93913C  
IRF7470  
SMPS MOSFET  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
l High Frequency DC-DC Converters  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
with Synchronous Rectification  
40V  
13mΩ  
10A  
Benefits  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
A
A
D
1
2
3
4
8
7
S
S
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
D
and Current  
6
5
S
D
D
G
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
40  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
10  
8.5  
A
85  
2.5  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
W
W
1.6  
0.02  
mW/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient „  
–––  
50  
°C/W  
Notes  through „are on page 8  
www.irf.com  
1
3/25/01  
12345678

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IRF7470TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7469TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF7470TRPBF INFINEON

类似代替

 High Frequency DC-DC Converters with Synchronous Rectification
IRF7470PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7470TRPBF INFINEON

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IRF7471 INFINEON

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IRF7471PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7473 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=100V, iD=6.9A)
IRF7473PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7473PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRF7473TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRF7473TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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