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IRF7457

更新时间： 2024-09-12 22:51:35
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 121K
描述
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)

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IRF7457 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.27其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：265 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRF7457 数据手册

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PD- 93882D  
IRF7457  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency DC-DC Isolated  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial use  
VDSS  
20V  
RDS(on) max ID  
7.0mΩ  
15A  
l High Frequency Buck Converters for  
Computer Processor Power  
Benefits  
A
A
1
2
3
4
8
7
D
S
S
l Ultra-Low RDS(on)  
l Very Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D
6
5
S
D
D
G
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
20  
± 20  
V
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
15  
12  
A
120  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
2.5  
W
W
1.6  
0.02  
W/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
RθJA  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient „  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
50  
Units  
–––  
°C/W  
Notes  through „are on page 8  
www.irf.com  
1
3/25/01  
12345678

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IRF7457 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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