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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7458TRPBF
IRF7458TRPBF PDF预览

IRF7458TRPBF

更新时间： 2024-10-30 12:04:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 转换器电信
页数 文件大小 规格书
8页 135K
描述
High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use

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IRF7458TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：0.8其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：280 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7458TRPBF 数据手册

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PD- 95268  
IRF7458PbF  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency Isolated DC-DC  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
ID  
14A  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
l High Frequency Buck Converters for  
Computer Processor Power  
8.0mΩ  
l Lead-Free  
A
A
D
1
2
3
4
8
7
Benefits  
S
S
S
G
D
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Very Low RDS(on)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
6
5
D
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Max.  
30  
± 30  
Units  
V
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TA = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
14  
ID @ TA = 70°C  
11  
A
IDM  
110  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationƒ  
Linear Derating Factor  
2.5  
W
W
1.6  
0.02  
mW/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
RθJA  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient „  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
–––  
50  
°C/W  
Notes  through „are on page 8  
www.irf.com  
1
8/17/04  
12345678

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IRF7458TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7458PBF INFINEON

完全替代

 SMPS MOSFET
IRF7458TR INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7458 INFINEON

类似代替

 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A)

与IRF7458TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7459 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=12A)
IRF7459PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7459UPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF7459UTRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7460 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=20V, Id=12A)
IRF7460PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF7463 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.008ohm, Id=14A)
IRF7463PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7463TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7464 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A)

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