是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SO-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.73 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 280 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 14 A |
最大漏源导通电阻: | 0.008 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MS-012AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF7458TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and In | |
IRF7458 | INFINEON |
类似代替 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A) | |
IRF7458PBF | INFINEON |
功能相似 |
SMPS MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF7458TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and In | |
IRF7459 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=12A) | |
IRF7459PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF7459UPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 | |
IRF7459UTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF7460 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Id=12A) | |
IRF7460PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF7463 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.008ohm, Id=14A) | |
IRF7463PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF7463TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |