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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 320 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 110 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7463TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7463 | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.008ohm, Id=14A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7463TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7464 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A) |
|
| IRF7464PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXET Power MOSFET |
|
| IRF7465 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A) |
|
| IRF7465PBF | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converters, Lead-Free |
|
| IRF7465TR | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF7465TRHR | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF7465TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
high frequency DC-DC converters |
|
| IRF7466 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A) |
|
| IRF7466PBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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