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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | SOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.28 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7456 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A) |
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| IRF7456PBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET |
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| IRF7456PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
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| IRF7456PBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package |
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| IRF7456TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7456TR | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IRF7456TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7456TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRF7457 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A) |
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| IRF7457PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on)max |
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