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IRF744PBF

更新时间: 2024-01-08 01:06:33
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 243K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRF744PBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.61
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):8.8 A
最大漏源导通电阻:0.63 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF744PBF 数据手册

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PD - 95627  
IRF744PbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
8/3/04  

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