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IRF7452TRPBF PDF预览

IRF7452TRPBF

更新时间： 2024-11-14 20:48:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7452TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：5.37
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7452TRPBF 数据手册

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PD-93897C  
IRF7452  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
ꢀ High frequency DC-DC converters  
VDSS  
100V  
RDS(on) max  
ID  
4.5A  
0.060Ω  
Benefits  
ꢀ Low Gate to Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
ꢀ Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
A
A
D
1
2
3
4
8
7
S
S
S
G
D
6
5
D
D
ꢀ Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
4.5  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ꢁ  
3.6  
A
36  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢂ  
Operating Junction and  
3.5  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Typical SMPS Topologies  
ꢀ Telecom 48V input DC-DC with Half Bridge Primary or Datacom 28V input  
with Passive Reset Forward Converter Primary  
Notes ꢀ through ꢁare on page 8  
www.irf.com  
1
11/23/01  
12345678

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IRF7452TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7452PBF INFINEON

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 HEXFET Power MOSFET
IRF7452 INFINEON

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IRF7453TR INFINEON

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 		暂无描述
IRF7453TRPBF INFINEON

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
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 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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