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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.51 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7452TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7452 | INFINEON |
类似代替 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7452QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7452QPBF_10 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRF7452QTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IRF7452TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7453 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Id=2.2A) |
|
| IRF7453PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRF7453TR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF7453TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF7455 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0071ohm,Id=15A) |
|
| IRF7455PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
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