是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.8 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.9 A |
最大漏极电流 (ID): | 8.9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.024 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 36 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRF7434 | ETC |
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IRF743FI | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB |
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IRF743R | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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IRF744 | INFINEON | HEXFET POWER MOSFET |
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IRF744 | VISHAY | Power MOSFET |
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IRF744-024PBF | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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