IRF7425

更新时间： 2024-11-18 22:51:35

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HEXFET Power MOSFET

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IRF7425 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.0082 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7425 数据手册

PD- 94022A

IRF7425

HEXFET^®Power MOSFET

ꢀ Ultra Low On-Resistance

ꢀ P-Channel MOSFET

ꢀ Surface Mount

V_DSS

20V

R_DS(on)max (mΩ)

8.2@V_GS= -4.5V

13@V_GS= -2.5V

I_D

-15A

-13A

ꢀ Available in Tape & Reel

Description

These P-Channel HEXFET^®Power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachievetheextremelylowon-resistance

per silicon area. This benefit provides the designer

with an extremely efficient device for use in battery

and load management applications..

SO-8

Top View

The SO-8 has been modified through a customized

leadframe for enhanced thermal characteristics and

multiple-die capability making it ideal in a variety of

powerapplications. Withtheseimprovements,multiple

devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically

reduced board space. The package is designed for

vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain- Source Voltage

-20

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -4.5V

Pulsed Drain Current ꢀ

-15

-12

-60

2.5

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation ꢀ

1.6

Linear Derating Factor

mW/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 12

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Maximum Junction-to-Ambientꢀ

Max.

Units

°C/W

R_θJA

www.irf.com

11/20/01

12 3 4 5 6 7...9

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IRF7425 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF7425TRPBF	INFINEON	类似代替	Ultra Low On-Resistance
IRF7425PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

与IRF7425相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF7425PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7425PBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF7425TRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRF7425TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRF742FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-220AB
IRF742R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220AB
IRF743	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
IRF743	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF743-001	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF743-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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