IRF7424TRPBF

更新时间： 2024-01-17 06:13:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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描述
HEXFETPower MOSFET

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IRF7424TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.11	配置：	Single
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF7424TRPBF 数据手册

PD- 95343

IRF7424PbF

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel MOSFET

l Surface Mount

l Available in Tape & Reel

l Lead-Free

V_DSS

-30V

R_DS(on)max (mW)

13.5@V_GS= -10V

22@V_GS= -4.5V

I_D

-11A

-8.8A

Description

These P-Channel MOSFETs from International

Rectifier utilize advanced processing techniques to

achieve the extremely low on-resistance per silicon

area. This benefit provides the designer with an

extremely efficient device for use in battery and load

management applications..

SO-8

Top View

The SO-8 has been modified through a customized

leadframe for enhanced thermal characteristics and

multiple-die capability making it ideal in a variety of

powerapplications. Withtheseimprovements,multiple

devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically

reduced board space. The package is designed for

vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain- Source Voltage

-30

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

-11

-9.3

-47

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

Power Dissipation

2.5

1.6

Linear Derating Factor

mW/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

T_J,T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient

Max.

Units

°C/W

R_θJA

www.irf.com

10/04/04

12 3 4 5 6 7...9

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