是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 1.11 | 配置: | Single |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A |
最大漏极电流 (ID): | 11 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0135 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MS-012AA |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF7424TR | INFINEON |
类似代替 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRF7424PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET | |
FDS6675 | FAIRCHILD |
功能相似 |
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF7424TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor | |
IRF7425 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF7425PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF7425PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRF7425TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRF7425TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRF742FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB | |
IRF742R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB | |
IRF743 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V | |
IRF743 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |