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IRF7424TRPBF

更新时间: 2024-01-09 15:50:14
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 127K
描述
HEXFETPower MOSFET

IRF7424TRPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.11配置:Single
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):11 A
最大漏极电流 (ID):11 A最大漏源导通电阻:0.0135 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:MS-012AA
湿度敏感等级:1元件数量:1
最高工作温度:150 °C峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2.5 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF7424TRPBF 数据手册

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IRF7424PbF  
6000  
12  
10  
8
V
= 0V,  
f = 1MHz  
gd , ds  
I =  
-11A  
D
GS  
V
V
=-24V  
=-15V  
DS  
DS  
C
= C + C  
C
SHORTED  
iss  
gs  
C
= C  
gd  
rss  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
C
= C + C  
ds  
oss  
gd  
C
iss  
6
4
C
oss  
2
C
rss  
0
1
10  
100  
0
20  
40  
60  
80  
-V , Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
Q , Total Gate Charge (nC)  
G
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.  
Fig 5. Typical Capacitance Vs.  
Gate-to-Source Voltage  
Drain-to-Source Voltage  
100  
10  
1
100  
10  
1
OPERATION IN THIS AREA LIMITED  
BY R  
DS(on)  
°
T = 150 C  
J
100us  
1ms  
°
T = 25 C  
J
°
T = 25 C  
10ms  
A
J
°
T = 150 C  
V
= 0 V  
GS  
Single Pulse  
0.1  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0.1  
1
10  
100  
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)  
SD  
-V , Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
Fig 8. Maximum Safe Operating Area  
Fig 7. Typical Source-Drain Diode  
Forward Voltage  
4
www.irf.com  

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