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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7422D2TRPBF
IRF7422D2TRPBF PDF预览

IRF7422D2TRPBF

更新时间： 2024-01-31 16:34:08
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
8页 123K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7422D2TRPBF 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.91配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：2.9 A
最大漏源导通电阻：0.09 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7422D2TRPBF 数据手册

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PD-91412L  
IRF7422D2  
TM  
FETKY MOSFET & Schottky Diode  
A
ꢀ Co-packaged HEXFET Power  
MOSFET and Schottky Diode  
ꢀ Ideal For Buck Regulator Applications  
ꢀ P-Channel HEXFET  
ꢀ Low VF Schottky Rectifier  
ꢀ Generation 5 Technology  
ꢀ SO-8 Footprint  
A
1
2
3
4
8
7
A
A
D
D
VDSS = -20V  
RDS(on) = 0.09Ω  
Schottky Vf = 0.52V  
6
5
S
D
D
G
Top View  
Description  
The FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs and  
Schottky diodes offer the designer an innovative  
board space saving solution for switching regulator  
and power management applications. Generation 5  
HEXFETs utilize advanced processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
Combinining this technology with International  
Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers results  
in an extremely efficient device suitable for use in a  
wide variety of portable electronics applications.  
SO-8  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics. The  
SO-8 package is designed for vapor phase, infrared or  
wave soldering techniques.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Maximum  
Units  
ID @ TA = 25°C  
-4.3  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current ➃  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
-3.4  
A
-33  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
2.0  
W
Power Dissipation  
1.3  
Linear Derating Factor  
16  
mW/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt ➃  
Junction and Storage Temperature Range  
-5.0  
V/ns  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Maximum  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient ➃  
62.5  
°C/W  
Notes:  
ꢀ Repetitive rating – pulse width limited by max. junction temperature (see fig. 11)  
ꢁ ISD ≤ -2.2A, di/dt ≤ -50A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 150°C  
ꢂ Pulse width ≤ 300µs – duty cycle ≤ 2%  
ꢃ Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec.  
www.irf.com  
1
11/27/01  
12345678

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与IRF7422D2TRPBF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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