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IRF7422D2TRPBF

更新时间: 2024-02-19 05:35:54
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
8页 123K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

IRF7422D2TRPBF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.91配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):2.9 A
最大漏源导通电阻:0.09 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF7422D2TRPBF 数据手册

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IRF7422D2  
TERMINAL NUMBER 1  
Tape and Reel  
12.3 ( .484 )  
11.7 ( .461 )  
8.1 ( .318 )  
7.9 ( .312 )  
FEED DIRECTION  
NOTES:  
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.  
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES).  
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.  
330.00  
(12.992)  
MAX.  
14.40 ( .566 )  
12.40 ( .488 )  
NOTES :  
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.  
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.  
Data and specifications subject to change without notice.  
Qualification Standards can be found on IRs Web site.  
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105  
TAC Fax: (310) 252-7903  
Visit us at www.irf.com for sales contact information. 11/01  
8
www.irf.com  

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