5秒后页面跳转
IRF7422D2PBF PDF预览

IRF7422D2PBF

更新时间: 2024-09-28 04:44:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
8页 375K
描述
FETKY⑩MOSFET &Schottky Diode

IRF7422D2PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.81配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):4.6 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度:150 °C峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2.5 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IRF7422D2PBF 数据手册

 浏览型号IRF7422D2PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7422D2PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7422D2PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7422D2PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7422D2PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7422D2PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95310  
IRF7422D2PbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
10/13/04  

IRF7422D2PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7422D2TRPBF INFINEON

类似代替

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF7205PBF INFINEON

类似代替

HEXFET Power MOSFET

与IRF7422D2PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7422D2TRPBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF7422D2TRR INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRF7424 INFINEON

获取价格

Ultra Low On-Resistance
IRF7424PBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRF7424PBF-1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor
IRF7424TR INFINEON

获取价格

Ultra Low On-Resistance
IRF7424TR UMW

获取价格

种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-30V;持续漏极电流(Id)(在25°C
IRF7424TRPBF INFINEON

获取价格

HEXFETPower MOSFET
IRF7424TRPBF-1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor
IRF7425 INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET