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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.01 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 623936 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | SO-8 | Samacsys Released Date： | 2018-10-10 17:46:08 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7314PBF | INFINEON |
类似代替  |
Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance |
|
| IRF7205TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Adavanced Process Technology |
|
| IRF9335PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7205PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRF7205TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| IRF7205TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Adavanced Process Technology |
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| IRF7205TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRF7207 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7207PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF7207TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7207TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF720A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF720A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET (400V, 1.8ohm, 3.3A) |
|
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