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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 249 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF720B | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET |
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| IRF720BJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF720C | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF720CF | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC |
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| IRF720CHIP | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | CHIP |
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| IRF720CHP | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF720D1 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF720FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR |
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| IRF720FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF720FX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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