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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7210 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF721-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF721-002PBF | INFINEON |
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3.3A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF721-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF721-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF721-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF721-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF721-005PBF | INFINEON |
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3.3A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF721-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF721-009PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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