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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7220GPBF
IRF7220GPBF PDF预览

IRF7220GPBF

更新时间： 2024-11-18 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 143K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 14V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN AND LEAD FREE, SOP-8

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IRF7220GPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：HALOGEN AND LEAD FREE, SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：14 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7220GPBF 数据手册

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PD- 91850B  
IRF7220  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
A
1
2
3
4
8
S
S
D
VDSS = -14V  
7
D
l Available in Tape & Reel  
6
S
D
5
G
D
RDS(on) = 0.012W  
Top View  
Description  
These P-Channel MOSFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit  
provides the designer with an extremely efficient device for  
use in battery and load management applications..  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of power  
applications. With these improvements, multiple devices  
can be used in an application with dramatically reduced  
board space. The package is designed for vapor phase,  
infra red, or wave soldering techniques.  
SO -8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
-14  
±11  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
±8.8  
A
±88  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
Power Dissipation  
1.6  
Linear Derating Factor  
0.02  
W/°C  
mJ  
V
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy„  
Gate-to-Source Voltage  
110  
VGS  
± 12  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RqJA  
www.irf.com  
1
03/15/99  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7220PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF7220-TR INFINEON

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 		暂无描述
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IRF722R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB
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