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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HALOGEN AND LEAD FREE, SOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 14 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7220PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7220-TR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRF722FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
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| IRF722R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF723 | INFINEON |
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TRANSISTORS N-CHANNEL |
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| IRF723 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V |
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| IRF723 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF723 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 350V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| IRF723-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF723-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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