5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF723-012 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF723-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF723-013PBF | INFINEON |
获取价格 |
2.8A, 350V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF7233 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7233 | ADI |
获取价格 |
Thermoelectric Cooler Controller |
|
| IRF7233PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7233TR | INFINEON |
获取价格 |
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
|
| IRF723FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF723R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF7240 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
