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IRF722

更新时间: 2024-11-05 20:15:51
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
1页 92K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRF722 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.71
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):2.8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

IRF722 数据手册

  

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