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IRF722

更新时间: 2024-02-11 20:23:47
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 558K
描述
TRANSISTORS N-CHANNEL

IRF722 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.12外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.8 A最大漏极电流 (ID):2.8 A
最大漏源导通电阻:2.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W最大脉冲漏极电流 (IDM):11 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF722 数据手册

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