5秒后页面跳转
IRF721-013 PDF预览

IRF721-013

更新时间: 2024-11-19 07:59:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRF721-013 数据手册

  

与IRF721-013相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF721-013PBF INFINEON

获取价格

3.3A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF7210PBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRF721FI ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF721R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB
IRF722 INFINEON

获取价格

TRANSISTORS N-CHANNEL
IRF722 FAIRCHILD

获取价格

N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
IRF722 VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF722 NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 400V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRF7220 INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRF7220GPBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 14V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met