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IRF7205PBF-1

更新时间： 2024-02-25 15:33:27

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRF7205PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRF7205PBF-1 数据手册

IRF7205PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

-30

R_{DS(on) max}

(@V_GS= -10V)

R_{DS(on) max}

(@V_GS= -4.5V)

Q_{g (typical)}

I_D

0.07

0.13

SO-8

Top View

-4.6

(@T_A= 25°C)

Features

Industry-standard pinout SO-8 Package

Benefits

Multi-Vendor Compatibility

⇒

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

MSL1, Industrial qualification

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Standard Pack

Form

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

Tube/Bulk

Tape and Reel

4000

IRF7205PbF-1

IRF7205TRPbF-1

IRF7205PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Max.

-4.6

-3.7

-15

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

2.5

W/°C

Linear Derating Factor

0.020

± 20

-3.0

V_GS

Gate-to-Source Voltage

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

V/nS

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

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June 30, 2014

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRF7205TRPBF	INFINEON	获取价格	Adavanced Process Technology
IRF7205TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRF7207	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF7207PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7207TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF7207TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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