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IRF7420

更新时间： 2024-11-19 04:44:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 107K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF7420 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (ID)：11.5 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：46 A表面贴装：YES
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7420 数据手册

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PD - 94278  
IRF7420  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
VDSS  
-12V  
RDS(on) max  
14mΩ@VGS = -4.5V -11.5A  
ID  
17.5mΩ@VGS = -2.5V -9.8A  
l Available in Tape & Reel  
26mΩ@VGS = -1.8V  
-8.1A  
Description  
These P-Channel HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievetheextremelylowon-resistance  
per silicon area. This benefit provides the designer  
with an extremely efficient device for use in battery  
and load management applications..  
A
1
2
8
D
S
S
7
D
3
4
6
S
D
5
G
D
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain- Source Voltage  
Max.  
-20  
Units  
V
VDS  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
-11.5  
-9.2  
A
-46  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation ƒ  
2.5  
W
Power Dissipation ƒ  
1.6  
Linear Derating Factor  
20  
mW/°C  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
±8  
V
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
07/11/01  
1234567...9

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IRF7420 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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IRF7420PBF INFINEON

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 		暂无描述
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