5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.12 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 46 A |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7420PBF | INFINEON |
完全替代  |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7420TR | INFINEON |
类似代替 |
Transistor |
|
| IRF7420 | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7420TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRF7421D1 | INFINEON |
获取价格 |
MOSFET & Schottky Diode |
|
| IRF7421D1_98 | INFINEON |
获取价格 |
MOSFET / Schottky Diode |
|
| IRF7421D1PBF | INFINEON |
获取价格 |
FETKY MOSFET / Schottky Diode |
|
| IRF7421D1TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7422D2 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY-TM MOSFET AND Schottky Diode |
|
| IRF7422D2PBF | INFINEON |
获取价格 |
FETKY⑩MOSFET &Schottky Diode |
|
| IRF7422D2TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7422D2TRR | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF7424 | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
