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IRF7420TRPBF

更新时间： 2024-02-14 22:59:17

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
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IRF7420TRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.53
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

IRF7420TRPBF 数据手册

IRF7420PbF

Electrical Characteristics @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

-12 ––– –––

Conditions

V_(BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= -250µA

∆V_(BR)DSS/∆T_JBreakdown Voltage Temp. Coefficient

––– 0.007 ––– V/°C Reference to 25°C, I_D= -1mA

––– ––– 14

––– 17.5

––– 26

-0.4 ––– -0.9

32 ––– –––

––– ––– -1.0

––– ––– -25

––– ––– -100

––– ––– 100

––– 38 –––

––– 8.1 –––

––– 8.7 –––

V_GS= -4.5V, I_D= -11.5A

R_DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

mΩ

V_GS= -2.5V, I_D= -9.8A

V_GS= -1.8V, I_D= -8.1A

V_DS= V_GS, I_D= -250µA

V_DS= -10V, I_D= -11.5A

V_DS= -9.6V, V_GS= 0V

V_DS= -9.6V, V_GS= 0V, T_J= 70°C

V_GS= -8V

V_GS(th)

g_fs

I_DSS

Gate Threshold Voltage

Forward Transconductance

Drain-to-Source Leakage Current

µA

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Total Gate Charge

I_GSS

V_GS= 8V

Q_g

I_D= -11.5A

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

nC V_DS= -6V

V_GS= -4.5V

––– 8.8

V_DD= -6V, V_GS= -4.5V

I_D= -1.0A

t_d(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Fall Time

––– 291 437

––– 225 338

––– 3529 –––

––– 1013 –––

––– 656 –––

R_D= 6Ω

R_G= 6Ω

V_GS= 0V

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

V_DS= -10V

ƒ = 1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance

Source-Drain Ratings and Characteristics

Parameter

Continuous Source Current

(Body Diode)

Min. Typ. Max. Units

Conditions

MOSFET symbol

showing the

I_S

-2.5

-46

I_SM

Pulsed Source Current

(Body Diode)

integral reverse

p-n junction diode.

V_SD

t_rr

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

––– ––– -1.2

T_J= 25°C, I_S= -2.5A, V_GS= 0V

––– 62

––– 61

T_J= 25°C, I_F= -2.5A

Q_rr

µC di/dt = -100A/µs

Notes:

Repetitive rating; pulse width limited by

Surface mounted on 1 in square Cu board, t ≤ 10sec.

max. junction temperature.

Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%.

www.irf.com

123 4 5 6 7...9

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IRF7420TRPBF-1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor	获取价格
IRF7421D1	INFINEON	MOSFET & Schottky Diode	获取价格
IRF7421D1_98	INFINEON	MOSFET / Schottky Diode	获取价格
IRF7421D1PBF	INFINEON	FETKY MOSFET / Schottky Diode	获取价格
IRF7421D1TRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRF7422D2	INFINEON	FETKY-TM MOSFET AND Schottky Diode	获取价格

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