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IRF7416TR

更新时间： 2024-05-23 22:22:45
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
8页 433K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-10A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:20mΩ@-10V

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IRF7416TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：370 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7416TR 数据手册

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R
UMW  
IRF7416  
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
l
l
l
Low On-Resistance  
P-Channel Mosfet  
Surface Mount  
A
1
2
3
4
8
D
S
S
7
D
l
l
dv/dt Rating  
6
5
S
G
D
D
Fast Switching  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TA = 25°C  
@ TA = 70°C  
-10  
-7.1  
-45  
D
D
A
DM  
W
W/°C  
V
Power Dissipation  
2.5  
P
@TA = 25°C  
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
0.02  
± 20  
V
GS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
370  
-5.0  
mJ  
dv/dt  
V/ns  
T
T
J
-55 to + 150  
°C  
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
Static Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)  
Parameter  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Min. Typ. Max. Units  
-30 ––– –––  
Conditions  
VGS = 0V, ID = -250μA  
V(BR)DSS  
V
V
/ T  
(BR)DSS Δ  
Δ
Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– -0.024 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA  
J
V
V
GS = -10V, ID = -5.6A  
GS = -4.5V, ID = -2.8A  
–––  
–––  
–––  
–––  
20  
35  
RDS(on)  
Static Drain-to-Source On-Resistance  
m
Ω
VGS(th)  
gfs  
IDSS  
Gate Threshold Voltage  
-1.0 ––– -2.04  
5.6 ––– –––  
––– ––– -1.0  
––– ––– -25  
V
VDS = VGS, ID = -250μA  
Forward Transconductance  
Drain-to-Source Leakage Current  
S
V
V
V
V
V
DS = -10V, ID = -2.8A  
DS = -24V, VGS = 0V  
DS = -24V, VGS = 0V, TJ = 125°C  
GS = -20V  
μA  
IGSS  
Gate-to-Source Forward Leakage  
Gate-to-Source Reverse Leakage  
––– ––– -100  
––– ––– 100  
nA  
GS = 20V  
www.umw-ic.com  
1
UTD Semiconductor Co.,Limited  
12345678

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