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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF7416QTR
AUIRF7416QTR PDF预览

AUIRF7416QTR

更新时间： 2024-09-28 12:30:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
12页 228K
描述
Advanced Process Technology Low On-Resistance

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AUIRF7416QTR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1103978Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SO-8Samacsys Released Date：2019-02-26 04:18:23
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRF7416QTR 数据手册

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PD - 97642  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRF7416Q  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
LowOn-Resistance  
A
P-ChannelMOSFET  
Dynamic dV/dT Rating  
150°C Operating Temperature  
Fast Switching  
1
2
3
4
8
7
D
D
D
D
S
S
S
V(BR)DSS  
-30V  
0.02  
l
6
5
RDS(on) max.  
ID  
Ω
l
l
l
l
G
Fully Avalanche Rated  
Lead-Free, RoHS Compliant  
Automotive Qualified*  
-10A  
Top View  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this cel-  
lular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lat-  
est processing techniques to achieve low on-resistance per  
silicon area. This benefit combined with the fast switching  
speed and ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer with an  
extremely efficient and reliable device for use in Automo-  
tive and a wide variety of other applications.  
SO-8  
AUIRF7416Q  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifica-  
tions is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The  
thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature  
(TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Max.  
-10  
Units  
I
I
I
@ TA = 25°C  
@ TA = 70°C  
D
D
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
A
-7.1  
-45  
Pulsed Drain Current  
DM  
W
mW/°C  
V
P
@TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
0.02  
± 20  
V
GS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
370  
-5.0  
mJ  
dv/dt  
V/ns  
T
T
J
-55 to + 150  
°C  
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
50  
°C/W  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
02/28/2011  
1234567...12

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AUIRF7416QTR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

 HEXFET Power MOSFET
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