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IRF7416PBF-1

更新时间： 2024-11-19 14:51:35

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Power Field-Effect Transistor

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IRF7416PBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.15
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRF7416PBF-1 数据手册

IRF7416PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

-30

0.020

R_{DS(on) max}

(@V_GS= -10V)

Q_{g (typical)}

I_D

-10

(@T_A= 25°C)

SO-8

Top View

Features

Industry-standard pinout SO-8 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Benefits

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Form

Tube/Bulk

Tape and Reel

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

4000

IRF7416PbF-1

IRF7416TRPbF-1

IRF7416PbF-1

SO-8

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

-10

-7.1

-45

W/°C

Power Dissipation

2.5

@T_A= 25°C

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

0.02

± 20

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

370

-5.0

dv/dt

V/ns

-55 to + 150

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Max.

Units

R_θJA

Junction-to-Ambient

°C/W

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November 19, 2013

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