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IPB042N10N3GATMA1

更新时间： 2024-11-05 19:12:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 935K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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IPB042N10N3GATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.63雪崩能效等级（Eas）：340 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB042N10N3GATMA1 数据手册

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IPB042N10N3ꢀG  
MOSFET  
OptiMOSª3ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV  
D²PAK  
Features  
•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel  
•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)  
•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication  
•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
Drain  
Pin 2, Tab  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
Unit  
VDS  
100  
V
Gate  
Pin 1  
RDS(on),max  
ID  
4.2  
mΩ  
A
Source  
Pin 3  
137  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPB042N10N3 G  
PG-TO 263-3  
042N10N  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.9,ꢀꢀ2017-07-17  
1234567...10

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与IPB042N10N3GATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB042N10N3GE8187ATMA1 INFINEON

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