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FDMC8588DC PDF预览

FDMC8588DC

更新时间： 2024-11-21 11:59:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 401K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mΩ

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FDMC8588DC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 33, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：29 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：41 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC8588DC 数据手册

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June 2012  
FDMC8588DC  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
25 V, 40 A, 5.7 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 5.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A  
„ State-of-the-art switching performance  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency and to minimize switch node  
ringing of DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers. It has been optimized  
for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body  
diode reverse recovery performance.  
„ Lower output capacitance, gate resistance, and gate charge  
boost efficiency  
„ Shielded gate technology reduces switch node ringing and  
increases immunity to EMI and cross conduction  
Applications  
„ RoHS Compliant  
„ High side switching for high end computing  
„ High power density DC-DC synchronous buck converter  
Pin 1  
G
S
S
S
S
D
D
S
D
S
D
D
D
D
Pin 1  
D
G
Top  
Power 33  
Bottom  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
(Note 5)  
25  
V
V
(Note 4)  
±12  
Drain Current - Continuous (Package limited) TC = 25 °C  
40  
- Continuous (Silicon Limited)  
- Continuous  
T
C = 25 °C  
73  
ID  
A
(Note 1a)  
(Note 3)  
17  
- Pulsed  
60  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
29  
41  
mJ  
W
Power Dissipation  
Power Dissipation  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
(Note 1a)  
3.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Top Source)  
(Bottom Drain)  
(Note 1a)  
7.0  
3.0  
42  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1b)  
105  
17  
°C/W  
(Note 1i)  
(Note 1j)  
26  
(Note 1k)  
12  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
Power 33  
08DC  
FDMC8588DC  
13 ’’  
3000 units  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC8588DC Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
1
12345678

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FDMC8588DC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON

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