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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MLP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 7.95 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1177069 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | WDFN8 3.3x3.3, 0.65P CASE 511DH ISSUE O | Samacsys Released Date： | 2019-08-11 09:11:13 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 34 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.051 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC86244 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 9.4 A, |
|
| FDMC86244 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，9.4A，134mΩ |
|
| FDMC86248 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 13 A, |
|
| FDMC86248 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 Power Trench® MOSFET 150V，13A，90mΩ |
|
| FDMC86259P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-13A，107mΩ |
|
| FDMC86260 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 150V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FDMC86260 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，25A，34mΩ |
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| FDMC86260ET150 | ONSEMI |
获取价格 |
150 V N 沟道 Power Trench® MOSFET |
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| FDMC86261P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -9 A, 160 m |
|
| FDMC86261P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，Power Trench® MOSFET，-150V，-9A，160mΩ |
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