是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 1.69 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas): | 12 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.103 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 19 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 15 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC86106LZ_13 | FAIRCHILD |
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N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 10 |
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FDMC86116LZ | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 7.5 A, 1 |
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FDMC86116LZ | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,7.5A,103mΩ |
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FDMC86139P | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-100V,-15A,67mΩ |
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FDMC86139P | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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FDMC86160 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench MOSFET 100 V, 43 A, 14 m Ohm |
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FDMC86160 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,43A,14mΩ |
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FDMC86160ET100 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,43A,14mΩ |
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FDMC86183 | ONSEMI |
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N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100V,47 A,12.8 |
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FDMC86184 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V,53 A,8.5 m |
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